RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Pontuação geral
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
62
Por volta de 58% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
62
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
7.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2432
1808
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparações de RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G4M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link