Comparação RAM Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 31

Por volta de 16% menor latência

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.5 13.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.5 9.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 12800

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2432 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns