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Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
75
Por volta de -103% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
37
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
3075
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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