RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Comparar
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
75
Por volta de -200% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
25
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
12.7
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
2704
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link