RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Comparar
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
Relatar um erro
Razões a considerar
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
75
Por volta de -21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.0
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
62
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
6.0
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
1586
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link