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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Pontuação geral
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Pontuação geral
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
50
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
1,905.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
35
Velocidade de leitura, GB/s
5,143.3
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,905.1
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
2699
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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