RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Comparar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
50
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
1,905.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
34
Velocidade de leitura, GB/s
5,143.3
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,905.1
11.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
2831
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link