RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Comparar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Pontuação geral
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
50
Por volta de -72% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
1,905.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
29
Velocidade de leitura, GB/s
5,143.3
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,905.1
12.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
3096
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link