RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Comparar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
19.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
50
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
1,905.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
28
Velocidade de leitura, GB/s
5,143.3
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,905.1
16.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
3859
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.M16FM 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905471-077.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link