RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Comparar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
50
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
1,905.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
34
Velocidade de leitura, GB/s
5,143.3
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,905.1
16.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
3700
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link