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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Comparar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Pontuação geral
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
50
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,905.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
36
Velocidade de leitura, GB/s
5,143.3
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,905.1
10.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
855
2490
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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