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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Pontuação geral
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
59
Por volta de -127% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
1,855.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,168.0
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,855.7
17.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
680
3972
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
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