RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Comparar
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
59
Por volta de -157% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,855.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,168.0
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,855.7
12.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
680
2660
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link