RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Comparar
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Pontuação geral
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
59
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,855.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,168.0
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,855.7
11.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
680
3224
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link