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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
46
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
46
Velocidade de leitura, GB/s
16.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
14.2
12.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3146
2936
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
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Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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