RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
28
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
15.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
3535
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link