RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
33
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
29
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
16.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
3920
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link