RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
35
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2905
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link