RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
33
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
32
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2955
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link