RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
28
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
3080
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link