RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
33
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
22
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
16.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
3779
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link