RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
37
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
37
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2698
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link