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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
33
Por volta de -3% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
32
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2395
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-012.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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