RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
33
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
29
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2854
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link