RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
46
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
46
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2368
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link