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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.1
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
33
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
21.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
3437
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
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