RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
11.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
33
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
11.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2913
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link