RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
33
Por volta de -3% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
32
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2942
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link