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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
38
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
38
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2829
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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