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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
35
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2613
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
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Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
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