RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
35
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2613
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link