RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
33
Por volta de -6% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
31
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2330
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link