RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de -38% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
24
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2854
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link