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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Comparar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Pontuação geral
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.5
10
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
45
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1425
2414
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparações de RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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