RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
60
Por volta de 52% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
60
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
11.0
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1425
2359
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparações de RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link