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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
40
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3322
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
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