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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
40
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
2201
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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