RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
51
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
9.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
51
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
2248
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link