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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
40
Por volta de -122% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
18
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3536
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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