RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
75
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
75
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2302
1763
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB Comparações de RAM
AMD R334G1339U2S 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link