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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2932
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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