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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3559
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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