RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3143
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link