RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2426
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link