RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
17.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3987
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link