RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
25.2
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
25
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
25.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
19.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
4167
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link