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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razões a considerar
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3049
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
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Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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