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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
INTENSO M418039 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs INTENSO M418039 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
INTENSO M418039 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
INTENSO M418039 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
28
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
INTENSO M418039 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
20
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2414
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
INTENSO M418039 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
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