RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2935
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link