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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
34
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
11.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3243
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
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Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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