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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
57
Por volta de 51% menor latência
Razões a considerar
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
57
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2253
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
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